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VISHAY SI4816BDY-T1-GE3 MOSFET, NN CH, 30V, 8SOIC


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2101479
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4816BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5.8 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 5.8 A Tipo de Canal Canal N + Schottky Disipación de Potencia Canal N 1.25 W Disipación de Potencia Canal P 1.25 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI4816BDY-T1-GE3, 2101479, 210-1479
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