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| N.º art.: 6368-2191807 N.º fabricante: PMDPB80XP,115 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.7 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 3.7 A Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 485 mW Disipación de Potencia Canal P 485 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-1118 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, NEXPERIA, PMDPB80XP,115, 2191807, 219-1807 |
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