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| N.º art.: 6368-2251958 N.º fabricante: FDC655BN EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.021 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 6.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDC655BN, 2251958, 225-1958 |
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| ![](/p.gif) | Resumen de condiciones1 | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | | a partir de € 0,12* | ![](/p.gif) | | | Precio válido a partir de 1.500.000 unidades | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Ver más almacenes con otras condiciones | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Precios escalonados | ![](/p.gif) | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | ![](/p.gif) | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 15000 unidades | | | | a partir de 24000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 45000 unidades | | | | a partir de 1500000 unidades | | | |
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