| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-2254239 N.º fabricante: FCPF190N60E EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Encapsulado del Transistor TO-220F Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 39 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FCPF190N60E, 2254239, 225-4239 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |