N.º art.: 6368-2283607
N.º fabricante: SIHD3N50D-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.6 ohm Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 104 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
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SIHD3N50D-GE3 ,
2283607 ,
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