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VISHAY SIHP8N50D-GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente


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N.º art.:
     6368-2283623
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHP8N50D-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.7 ohm Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 8.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 156 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHP8N50D-GE3, 2283623, 228-3623
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Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Alfombrilla de interfaz térmica Bergquist de 1.1W/m·K, dim. 19.05 x 12.7mm x 0.152mm, -60 → +180 °C
Bergquist
SPK6-0.006-00-54
a partir de € 3,32*
Accesorios
Disipador Fischer Elektronik Negro, 5K/W, dim. 37.5 x 52.3 x 28mm
Fischer Elektronik
SK 487/37,5 SA
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