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| N.º art.: 6368-2283651 N.º fabricante: SI8483DB-T2-E1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 16 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor MICRO FOOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Disipación de Potencia 13 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 400 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI8483DB-T2-E1, 2283651, 228-3651 |
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