VISHAY SI2328DS-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT23

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.195 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-236 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)