N.º art.: 6368-2283683
N.º fabricante: SIRA12DP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0032 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 25 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 31 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SIRA12DP-T1-GE3 ,
2283683 ,
228-3683
Ofertas (3)
Plazo de entrega máx. 1 día máx. 3 días máx. 5 días máx. 10 días
Stock en almacén
Cantidad de pedido mín.
Envío
3000
Envío gratuito
a partir de € 0,296*
€ 0,296*
1
€ 7,90*
a partir de € 0,39*
€ 0,96*
Almacén 6368
1
€ 14,99*
a partir de € 0,278*
€ 1,037*
Precios: Almacén 6368
Cantidad de pedido
Neto
Bruto
Unidad
a partir de 1000 unidades
a partir de 5000 unidades
a partir de 2500000 unidades
Stock en almacén: Almacén 6368
Envío: Almacén 6368
Valor de pedido
Envío
a partir de € 0,00*
€ 14,99*
a partir de € 85,00*
Envío gratuito
Derechos de devolución para este artículo: Almacén 6368
Este artículo está excluido de cancelación, cambio o devolución. El plazo de garantía según las CGC persiste independientemente de los derechos de devolución indicados.