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INFINEON IR2101STRPBF CI, CONTR MOSFET, LADO ALTO/BAJO, SOIC-8


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2296000
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IR2101STRPBF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET
Transistor MOSFET
Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensión de Alimentación Mín. 10 V Corriente de Suministro 210 mA Tipo de Interruptor de Potencia IGBT, MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada No Inversión Tensión de Alimentación Máx. 20 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Corriente de Drenaje 360 mA Configuración del Controlador Lado Alto y Lado Bajo Encapsulado del CI SOIC Núm. de Canales 2 Canales Temperatura de Funcionamiento Máx. 125 °C Tipo de Controlador de Puerta - Montaje de Cirucito Montaje en superficie Retardo de Salida 150 ns Retardo de Entrada 160 ns Temperatura de Trabajo Mín. -40 °C
Más información:
Customs tariff number:
85423990
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Controlador CI, Controladores CI, transistor de efecto de campo, Circuitos, Drivers, Gestión, grille, Integrados, PMIC, puissance, Semiconductores, INFINEON, IR2101STRPBF, 2296000, 229-6000
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08-350000-11-RC
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