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| N.º art.: 6368-2317611 N.º fabricante: NTJD5121NT1G EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 304 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 304 mA Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 266 mW Disipación de Potencia Canal P 266 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, NTJD5121NT1G, 2317611, 231-7611 |
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