N.º art.: 6368-2317885
N.º fabricante: NTR4101PT1G
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.07 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 720 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
NTR4101PT1G ,
2317885 ,
231-7885
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