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| N.º art.:
6368-2317889 N.º fabricante:
NTR1P02T1G EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.148 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 400 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NTR1P02T1G, 2317889, 231-7889 |
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| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | | | a partir de € 0,0764* | | | | Precio válido a partir de 1.500.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 15000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 1500000 unidades | | | |
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