ON SEMICONDUCTOR FDS8638 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 18 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)