N.º art.: 6368-2322629
N.º fabricante: FQD5P20TM
EAN/GTIN: Sin datos
Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200 V Disipación de Potencia 45 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (27-Jun-2024) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FQD5P20TM ,
2322629 ,
232-2629
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