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ONSEMI FDB047N10 MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3


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N.º art.:
     6368-2323156
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDB047N10
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0039 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 375 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85411000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDB047N10, 2323156, 232-3156
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