N.º art.: 6368-2323191
N.º fabricante: FDS4465
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0067 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 13.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 600 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
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mosfet de potencia ,
Discretos ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
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FDS4465 ,
2323191 ,
232-3191
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