ONSEMI FDT457N Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-223 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)