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VISHAY SI2301CDS-T1-E3 MOSFET, P CH, -20V, -3.1A, SOT-23


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N.º art.:
     6368-2335284
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2301CDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 2.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 400 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI2301CDS-T1-E3, 2335284, 233-5284
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