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| N.º art.: 6368-2335305 N.º fabricante: SI4166DY-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0032 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 6.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI4166DY-T1-GE3, 2335305, 233-5305 |
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