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| N.º art.: 6368-2335381 N.º fabricante: SI7994DP-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 60 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 3.5 W Disipación de Potencia Canal P 3.5 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI7994DP-T1-GE3, 2335381, 233-5381 |
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