N.º art.: 6368-2364073
N.º fabricante: SIHB6N65E-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 78 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
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Customs tariff number:
85412900
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SIHB6N65E-GE3 ,
2364073 ,
236-4073
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