VISHAY SIHP33N60E-GE3 MOSFET, N-CH, 600V, 33A, TO-220

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.083 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 33 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 278 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)