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| N.º art.: 6368-2364088 N.º fabricante: SIHP33N60E-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.083 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 33 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220AB Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 278 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHP33N60E-GE3, 2364088, 236-4088 |
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