N.º art.: 6368-2364096
N.º fabricante: SIR882ADP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0072 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 83 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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SIR882ADP-T1-GE3 ,
2364096 ,
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