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| N.º art.: 6368-2396085 N.º fabricante: SI2312BDS-T1-E3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 3.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 750 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 850 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412100 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI2312BDS-T1-E3, 2396085, 239-6085 |
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