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| N.º art.: 6368-2419469 N.º fabricante: PMPB95ENEA EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-1220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 3.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMPB95ENEA, 2419469, 241-9469 |
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