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| N.º art.:
6368-2438426 N.º fabricante:
FDC6312P EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N - Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.3 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N - Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N - Disipación de Potencia Canal P 960 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412100 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, FDC6312P, 2438426, 243-8426 |
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| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | | | a partir de € 0,177* | | | | Precio válido a partir de 45.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 24000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 45000 unidades | | | |
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