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| N.º art.:
6368-2438471 N.º fabricante:
FQB22P10TM EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.096 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 22 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 3.75 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FQB22P10TM, 2438471, 243-8471 |
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| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | | | a partir de € 0,809* | | | | Precio válido a partir de 400.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 800 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | | | | | a partir de 1600 unidades | | | | a partir de 2400 unidades | | | | a partir de 4000 unidades | | | | a partir de 8000 unidades | | | | a partir de 400000 unidades | | | |
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