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| N.º art.: 6368-2443423 N.º fabricante: BSC109N10NS3GATMA1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0098 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 63 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TDSON Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 78 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet 10v, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, BSC109N10NS3GATMA1, 2443423, 244-3423 |
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