N.º art.: 6368-2453859
N.º fabricante: FDP51N25
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.048 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 51 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250 V Disipación de Potencia 320 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FDP51N25 ,
2453859 ,
245-3859
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