N.º art.: 6368-2454798
N.º fabricante: SI1077X-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.065 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 1.75 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-563 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 330 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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SI1077X-T1-GE3 ,
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