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VISHAY SI3410DV-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 8A, TSOP-6


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2454803
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3410DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.016 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 4.1 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI3410DV-T1-GE3, 2454803, 245-4803
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