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| N.º art.: 6368-2454810 N.º fabricante: SI6913DQ-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 12 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.9 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 12 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 4.9 A Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 830 mW Disipación de Potencia Canal P 830 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSSOP Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412100 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI6913DQ-T1-GE3, 2454810, 245-4810 |
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