NEXPERIA BSS84AKMB,315 MOSFET, CAN P, -50V, -0.23A, SOT883B-3

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 230 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-883B Tensión Drenador-Fuente (Vds) 50 V Disipación de Potencia 360 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)