N.º art.: 6368-2498582
N.º fabricante: PMXB120EPEZ
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 2.4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN1010D Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 400 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
transistor de efecto de campo ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
NEXPERIA ,
PMXB120EPEZ ,
2498582 ,
249-8582
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