NEXPERIA PMXB360ENEAZ MOSFET, CANAL N, 80 V, 1.1 A, DFN-3

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.345 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN1010D Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 400 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)