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STMICROELECTRONICS STB35N60DM2 MOSFET, CANAL N, 600 V, 28 A, TO-263


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2531105
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB35N60DM2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.094 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 28 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 210 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STB35N60DM2, 2531105, 253-1105
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