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ONSEMI NTGD4167CT1G MOSFET, CANAL N Y P, 30 V, 2.6 A, TSOP-6


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N.º art.:
     6368-2533185
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTGD4167CT1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor digital
Transistores digitales
Transistor dual
Transistores duales
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 2.6 A Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 900 mW Disipación de Potencia Canal P 900 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor de potencia, Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, NTGD4167CT1G, 2533185, 253-3185
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