ONSEMI NTMS10P02R2G MOSFET, CANAL P, -20 V, -8.8 A, SOIC-8

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 8.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 880 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)