| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-2533247 N.º fabricante: NSR1020MW2T3G EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Sobrecorriente Directa - Gama de Producto NSR10 Número de Pines 2 Pines Configuración de Diodo Único Temperatura de Funcionamiento Máx. 125 °C Cresta de Tensión Inversa Recurrente 20 V Corriente Directa Promedio 1 A Tensión Directa Máxima 540 mV Montaje de Diodo Montaje en superficie Tiempo de Recuperación Inversa - Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Encapsulado del Diodo SOD-323 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85411000 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodos de barrera schottky, Diodes, Discretos, faibles, Schottky, Semiconductores, signaux, ONSEMI, NSR1020MW2T3G, 2533247, 253-3247 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |