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ONSEMI MUN5111DW1T1G TRANSISTOR BRT, PNP, -50 V, SOT363-6


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2535583
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     MUN5111DW1T1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Transistor
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Resistencia de Entrada Base R1 10 kohm Resistencia Base-Emisor R2 10 kohm Núm. de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Doble Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Corriente de Colector Continua 100 mA Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE 35 hFE Disipación de Potencia 385 mW Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tensión Máx de Colector-Emisor PNP 50 V Tensión Máx Colecto-Emisor NPN -
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, bipolaires, Bipolares, Discretos, Numérique, Pré-polarisé, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, MUN5111DW1T1G, 2535583, 253-5583
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