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DIODES INC. DMN63D8LDW-7 MOSFET AEC-Q101 CANAL N DOBLE 30V SOT363


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N.º art.:
     6368-2543518
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN63D8LDW-7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 260 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 260 mA Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 400 mW Disipación de Potencia Canal P 400 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Calificación AEC-Q101 Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, DIODES INC., DMN63D8LDW-7, 2543518, 254-3518
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