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VISHAY SIHG33N65EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 31.6A, TO-247AC-3


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2576518
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG33N65EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.095 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 31.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247AC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 313 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIHG33N65EF-GE3, 2576518, 257-6518
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