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VISHAY SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET, CANAL N DOBLE, 60V, 6,5A, SOIC


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N.º art.:
     6368-2646385
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4946BEY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6.5 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 6.5 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 3.7 W Disipación de Potencia Canal P 3.7 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOIC Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI4946BEY-T1-GE3, 2646385, 264-6385
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