N.º art.: 6368-2646396
N.º fabricante: SI7997DP-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 60 A Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 46 W Disipación de Potencia Canal P 46 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
Double ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Transistors ,
VISHAY ,
SI7997DP-T1-GE3 ,
2646396 ,
264-6396
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