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| N.º art.: 6368-2673081 N.º fabricante: PMDXB600UNELZ EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 600 mA Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 600 mA Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 380 mW Disipación de Potencia Canal P 380 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor DFN1010B Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412100 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, NEXPERIA, PMDXB600UNELZ, 2673081, 267-3081 |
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