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| N.º art.: 6368-2679687 N.º fabricante: SI3552DV-T1-E3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 2.5 A Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 1.15 W Disipación de Potencia Canal P 1.15 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI3552DV-T1-E3, 2679687, 267-9687 |
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