VISHAY SI4154DY-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 36A, SOIC

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0027 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 36 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 7.8 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)