VISHAY SI5403DC-T1-GE3 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor ChipFET Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 6.3 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)