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ROHM RQ1E070RPFRATR MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, -30V, TSMT


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2706629
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RQ1E070RPFRATR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSMT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.5 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, RQ1E070RPFRATR, 2706629, 270-6629
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